貼片陶瓷電阻(通稱貼片電容)是目前用量比較大的常用元件,有取代鉭電容之勢(shì)，有NPO(COG)、X7R、X5R、Y5V等不同的規(guī)格,不同的規(guī)格有不同的用途。就常用的NPO、X7R、X5R和Y5V來介紹一下它們的性能和應(yīng)用以及采購中應(yīng)注意的訂貨事項(xiàng)。NPO、X7R、X5R和Y5V是電容的溫度特性代號(hào)，主要因電容填充介質(zhì)不同而引起。不同填充介質(zhì)的電容器的容量、介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時(shí)應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。

　　一 溫度補(bǔ)償型NPO(COG) 電容器

　　NPO是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對(duì)大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對(duì)使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了常用封裝NPO電容器可選取的容量范圍。

　　封裝尺寸(mm) 容量范圍 耐壓品種

　　0.4 x 0.2 ( 01005 ) 1.0pF-15pF DC = 16V

　　0.6 x 0.3 ( 0201 ) 0.10pF-100pF DC = 25V

　　1.00 x 0.50 ( 0402 ) 0.10pF-1000pF DC = 50/25V

　　1.60 x 0.80 ( 0603 ) 0.50pF-10000pF DC = 200/100/50/25V

　　2.00 x 1.25 ( 0805 ) 12pF-47000pF DC = 200/100/50/25V

　　3.20 x 1.60 ( 1206 ) 1.0pF-0.10μF DC = 500/200/100/50/25V

　　3.20 x 2.50 ( 1210 ) 0.50pF-1000pF DC = 500/300/250/100/50V

　　4.50 x 3.20 ( 1812 ) 1200pF-2700pF DC = 200V

　　5.70 x 5.00 ( 2220 ) 3300pF-5600μF DC = 200V

　　NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。

　　貼片電容

　　二 高介電常數(shù)型X7R(R7) 特性電容器

　　X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55℃到+125℃時(shí)其容量變化為15%,需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時(shí)間的變化 而變化,大約每10年變化1%ΔC,表現(xiàn)為10年變化了約5%。X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用,而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。

　　封裝尺寸( mm ) 容量范圍 耐壓品種

　　1.00 x 0.50 ( 0402 ) 220pF-0.10μF DC = 50/25/16/10V

　　1.60 x 0.80 ( 0603 ) 220pF-0.47μF DC = 100/50/25/16/10V

　　2.00 x 1.25 ( 0805 ) 4700pF-2.2μF DC = 100/50/25/16/10/6.3V

　　3.20 x 1.60 ( 1206 ) 33000pF-10μF DC = 100/50/25/16/10V

　　3.20 x 2.50 ( 1210 ) 68000pF-10μF DC = 100/50/25/16V

　　4.50 x 3.20 ( 1812 ) 0.15μF-4.7μF DC = 100/50/25V

　　5.70 x 5.00 ( 2220 ) 1.0μF-4.7μF DC = 100/50V

　　X7R電容器適合用于去耦、平滑用。還有250V、630V、1000V、2000V等耐壓品種。

　　三 高介電常數(shù)型Y5V 特性電容器

　　Y5V電容器是有一定溫度限制的通用電容器,在工作溫度-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化為 +22% 到 -82% 、介質(zhì)損耗為 5% 。Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達(dá)100μF的電容器。

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