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肖特基二極管與超快恢復(fù)二極管的區(qū)別以及能否互換

   來(lái)源:   發(fā)表日期:2021年12月04日    瀏覽次數(shù):

       肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管有何區(qū)別?能否互換,應(yīng)注意什么?

  肖特基二極管的漏電流比較大,電壓比較低,它的反向恢復(fù)時(shí)間是非常低,一般在155以下,肖特基二極管的快速恢復(fù)時(shí)間是25納秒,30納秒。它的漏電流比較小,您可以根據(jù)不同的應(yīng)用進(jìn)行不同的選擇。

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  肖特基二極管與快恢復(fù)二極管有什么區(qū)別

  快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(0.5-2V),反向耐壓多在1200V以

  下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng),后者則在100ns(納秒)以下。

  肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管,簡(jiǎn)稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode),具有正向壓降低(0.4--1.0V)、反向恢復(fù)時(shí)間很短(2-10ns納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場(chǎng)合。 肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別:前者的恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右,前者的反向恢復(fù)時(shí)間大約為幾納秒!前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗,大電流,超高速!電特性當(dāng)然都是二極管!快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開(kāi)關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的

  耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件.

  肖特基二極管:反向耐壓值較低(一般小于150V),通態(tài)壓降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢復(fù)時(shí)間。它是有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵,多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的,所以,其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微,所以其頻率響僅為RC時(shí)間常數(shù)限制,因而,它是高頻和快速開(kāi)關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)肖特基二極管可以用來(lái)制作太陽(yáng)能電池或發(fā)光二極管。

  快恢復(fù)二極管:有0.8-1.1V的正向?qū)▔航担?5-85nS的反向恢復(fù)時(shí)間,在導(dǎo)通和截止之間迅速轉(zhuǎn)換,提高了器件的使用頻率并改善了波形??旎謴?fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開(kāi)關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件.

  快恢復(fù)二極管FRD(Fast Recovery Diode)是近年來(lái)問(wèn)世的新型半導(dǎo)體器件,具有開(kāi)關(guān)特性好,反向恢復(fù)時(shí)間短、正向電流大、體積小、安裝簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)。超快恢復(fù)二極管SRD(Superfast Recovery Diode),則是在快恢復(fù)二極管基礎(chǔ)上發(fā)展而成的,其反向恢復(fù)時(shí)間trr值已接近于肖特基二極管的指標(biāo)。它們可廣泛用于開(kāi)關(guān)電源、脈寬調(diào)制器(PWM)、不間斷電源(UPS)、交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速(VVVF)、高頻加熱等裝置中,作高頻、大電流的續(xù)流二極管或整流管,是極有發(fā)展前途的電力、電子半導(dǎo)體器件。

  1.性能特點(diǎn)

  1)反向恢復(fù)時(shí)間

  反向恢復(fù)時(shí)間tr的定義是:電流通過(guò)零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。反向恢復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流,IRM為最大反向恢復(fù)電流。Irr為反向恢復(fù)電流,通常規(guī)定Irr=0.1IRM。當(dāng)t≤t0時(shí),正向電流I=IF。當(dāng)t>t0時(shí),由于整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓,因此正向電流迅速降低,在t=t1時(shí)刻,I=0。然后整流器件上流過(guò)反向電流IR,并且IR逐漸增大;在t=t2時(shí)刻達(dá)到最大反向恢復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的作用,反向電流逐漸減小,并在t=t3時(shí)刻達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過(guò)程與電容器放電過(guò)程有相似之處。

  2)快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

  快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同,它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄,反向恢復(fù)電荷很小,不僅大大減小了trr值,還降低了瞬態(tài)正向壓降,使管子能承受很高的反向工作電壓??旎謴?fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾百納秒,正向壓降約為0.6V,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小,使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看,可分成單管、對(duì)管(亦稱雙管)兩種。對(duì)管內(nèi)部包含兩只快恢復(fù)二極管,根據(jù)兩只二極管接法的不同,又有共陰對(duì)管、共陽(yáng)對(duì)管之分。圖2(a)是C 20-04型快恢復(fù)二極管(單管)的外形及內(nèi)部結(jié)構(gòu)。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型(共陰對(duì)管)、MUR1680A型(共陽(yáng)對(duì)管)超快恢復(fù)二極管的外形與構(gòu)造。它們均采用TO-220塑料封裝,主要技術(shù)指標(biāo)見(jiàn)表1。

  幾十安的快恢復(fù)二極管一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量(幾百安~幾千安)的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。

  2.檢測(cè)方法

  1)測(cè)量反向恢復(fù)時(shí)間

  測(cè)量電路如圖3。由直流電流源供規(guī)定的IF,脈沖發(fā)生器經(jīng)過(guò)隔直電容器C加脈沖信號(hào),利用電子示波器觀察到的trr值,即是從I=0的時(shí)刻到IR=Irr時(shí)刻所經(jīng)歷的時(shí)間。設(shè)器件內(nèi)部的反向恢電荷為Qrr,有關(guān)系式trr≈2Qrr/IRM由式(5.3.1)可知,當(dāng)IRM 為一定時(shí),反向恢復(fù)電荷愈小,反向恢復(fù)時(shí)間就愈短。

  2)常規(guī)檢測(cè)方法

  在業(yè)余條件下,利用萬(wàn)用表能檢測(cè)快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的單向?qū)щ娦?,以及?nèi)部有無(wú)開(kāi)路、短路故障,并能測(cè)出正向?qū)▔航?。若配以兆歐表,還能測(cè)量反向擊穿電壓。

  實(shí)例:測(cè)量一只超快恢復(fù)二極管,其主要參數(shù)為:trr=35ns,IF=5A,IFSM=50A,VRM=700V。將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔,讀出正向電阻為6.4Ω,n′=19.5格;反向電阻則為無(wú)窮大。進(jìn)一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。證明管子是好的。

  注意事項(xiàng):

  1)有些單管,共三個(gè)引腳,中間的為空腳,一般在出廠時(shí)剪掉,但也有不剪的。

  2)若對(duì)管中有一只管子損壞,則可作為單管使用。

  3)測(cè)正向?qū)▔航禃r(shí),必須使用R×1檔。若用R×1k檔,因測(cè)試電流太小,遠(yuǎn)低于管子的正常工作電流,故測(cè)出的VF值將明顯偏低。在上面例子中,如果選擇R×1k檔測(cè)量,正向電阻就等于2.2kΩ,此時(shí)n′=9格。由此計(jì)算出的VF值僅0.27V,遠(yuǎn)低于正常值(0.6V)。


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